年国由香港理工大学与Wiley共同出版的开放获取旗舰期刊。

相反，产片差Co/Li2S、Mn/Li2S或Zn/Li2S可以作为理想的正极的预锂化剂来补偿锂在全电池中的任何损失。而且，票房Li2S基正极材料活化电势高，倍率性能较差，容量衰减也较快。

随后，反映通过将Co2+、Mn2+和Zn2+与S2-结合来形成金属硫化物。其反应如化学方程式（1）所示：些问Li(s)+TMS2(s)=2Li2S(s)+TM(s)（1）在制备Li2S/Ni、些问Li2S/Fe、Li2S/Cu复合材料时，由于Li2S与这三种金属的晶格不匹配，导致Ni、Fe、Cu出现团聚现象。(d)Li2S/W、年国Li2S/Mo、年国Li2S/Ti和纯Li2S的XPS-Li-1s谱;(e)XANES谱;(f)傅里叶变换EXAFS谱;(g)电流密度为0.1C时，Li2S/W、Li2S/Mo、Li2S/Ti和纯Li2S的第二圈充放电曲线;(h)扫描速率为0.05mV/s时，Li2S/W,Li2S/Mo、Li2S/Ti、纯Li2S的第二圈CV曲线(i)不同电流密度下Li2S/W、Li2S/Mo、Li2S/Ti和纯Li2S的倍率性能我们用高分辨透射电镜（HRTEM）对Li2S/TM复合材料进行了进一步的表征，以Li2S/Mo为例，复合材料由微米大小的颗粒组成（图2c）。

在选区电子衍射（SAED）图中发现的环证实了Li2S和Mo以多晶形式存在（图2d），产片差d间距为0.22nm和0.32nm的环分别归属于Mo（110）面和Li2S（111）面，产片差暗场TEM成像进一步揭示了嵌入Li2S基体中的Mo颗粒的均匀分布（图2e）。仔细观察图3a，票房GCD剖面中Li2S的活化电位从纯Li2S的3.78V分别下降到Li2S/W、Li2S/Mo和Li2S/Ti的3.65、2.57和2.41V。

如图5a所示，反映在0.5C的电流密度下，140次循环后，纯Li2S的容量从332降至150mAh·g−1，每次循环的容量衰减率为3.6%。

此外，些问我们还研究了Li2S/TM复合材料的电化学行为，恒流充放电（GCD）试验以0.1C（1C=1165mAh·g−1）的电流速率进行。图43 放射性同位素热电供电装置用于阿波罗登月计划以及其基本热电器件单元，年国用于汽车内部的环形热电转换发电装置及热电发电功率和引擎速度和扭力之间的关系，年国人体不同部位的体温所产生的热量以及各种可穿戴设备所需要的能量范围，以及应用于人体不同部位的可穿戴热电发电装置典型案例。

图19 热电材料中纳米孔隙的基本概念，产片差理论计算引入纳米孔隙后对硒掺杂碲化铋块体材料晶格热导率的降低效果，产片差理论计算在硒化锡多晶材料中引入不同量的孔径为50纳米的孔隙与材料的晶格热导率及热电优值的关系，利用扫描电子显微镜来表征使用爆炸法得到的硒化铜多晶块体中的纳米孔隙，孔隙设计过程中各种热电材料的形成焓（ΔH）与能垒（Eb）的关系，引入纳米孔隙对硒化铜多晶块体热电性能的影响，利用溶液法在二维硒化锡薄片中引入纳米孔隙，使用中空的铋碲硒纳米棒为原材料进行烧结得到的具有微纳米孔隙的多晶块体以及其热电性能。票房长期从事功能材料在能量转化的基础和应用研究。

图4 非谐性键合示意图，反映单晶硒化锡沿不同轴向的Grüneisen参数计算，反映热电材料中常见晶格缺陷的种类，不同点缺陷对硒化锡晶格热导率的降低，热电块体硅中三声子散射与声子-位错散射与同位素散射的效果对比，具有多相结构的热电材料中热流的分析，声子波长（频带）与散射源种类及尺寸的关系，具有纳米孔结构的多晶硒化锡中由纳米孔洞造成的热辐射和声子散射对热导率降低的作用对比，以及通过计算得到的碲化锗材料中不同的散射源对晶格热导率的降低。图5 布里奇曼单晶生长工艺，些问传统湿法化学工艺（热注射法），水热/溶剂热合成工艺，熔融/高温合金化，机械合金化，以及气相沉积法。